BSS123235 datasheet

Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)

• Маркировка
  BSS123235
• Производитель
  NXP Semiconductors
• Описание
  NXP Semiconductors BSS123235 Package Shape: RECTANGULAR Package Style: SMALL OUTLINE Surface Mount: Yes Terminal Form: GULL WING Terminal Position: DUAL Number of Terminals: 3 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE Number of Elements: 1 Transistor Application: SWITCHING Transistor Element Material: SILICON Power Dissipation Ambient-Max: 0.2500 W Channel Type: N-CHANNEL FET Technology: METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Operating Mode: ENHANCEMENT Transistor Type: GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL Drain Current-Max (ID): 0.1500 A Feedback Cap-Max (Crss): 10 pF DS Breakdown Voltage-Min: 100 V Drain-source On Resistance-Max: 6 ohm
• Количество страниц
  4 шт.
• Формат
  PDF

  (Для просмотра требуется Adobe Acrobat Reader)
• Размер файла
  64,28 KB

BSS123235 datasheet скачать

BSS123235 datasheet